2024年4月11日发(作者：)

磁控溅射技术

磁控溅射原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子

发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电

场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子

（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受

到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区

域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运

动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞

电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降

低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。 磁控溅射

就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高

工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基

片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳

极在同一电势。磁场与电场的交互作用（ E X B drift）使单个电子轨

迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅

射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同

会对成膜有很大关系。 在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射，

多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电

场方向，电压电流大小而已。

真空镀膜过程均匀性

真空镀膜过程非常复杂，由于镀膜原理的不同分为很多种类，仅仅

因为都需要高真空度而拥有统一名称。所以对于不同原理的真空镀

膜，影响均匀性的因素也不尽相同。

并且均匀性这个概念本身也会随着镀膜尺度和薄膜成分而有着不

同的意义。

薄膜均匀性的概念：

1.厚度上的均匀性，也可以理解为粗糙度，在光学薄膜的尺度上

看（也就是1/10波长作为单位，约为100A），真空镀膜的均匀性

已经相当好，可以轻松将粗糙度控制在可见光波长的1/10范围内，

也就是说对于薄膜的光学特性来说，真空镀膜没有任何障碍。

但是如果是指原子层尺度上的均匀度，也就是说要实现10A甚至

1A的表面平整，是现在真空镀膜中主要的技术含量与技术瓶颈所在，

具体控制因素下面会根据不同镀膜给出详细解释。

2.化学组分上的均匀性：

就是说在薄膜中，化合物的原子组分会由于尺度过小而很容易的产

生不均匀特性，SiTiO

3

薄膜，如果镀膜过程不科学，那么实际表面

的组分并不是SiTiO

3

，而可能是其他的比例，镀的膜并非是想要的

膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。

具体因素也在下面给出。

3.晶格有序度的均匀性：

这决定了薄膜是单晶，多晶，非晶，是真空镀膜技术中的热点问题，

具体见下。

主要分类有两个大种类：

蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜，具体则包括很多种类，包括真空离

子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，溶胶凝胶法等等

一、对于蒸发镀膜：

一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并

且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点－岛状结构-迷走结构-层状

生长）形成薄膜。

厚度均匀性主要取决于：

1、基片材料与靶材的晶格匹配程度

2、基片表面温度

3、蒸发功率，速率

4、真空度

5、镀膜时间，厚度大小。

组分均匀性：

蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，

但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组

分均匀性不好。

晶向均匀性：

1、晶格匹配度

2、基片温度

3、蒸发速率

二、.对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶

材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在

基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。

二、.对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶

材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在

基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。

对于不同的溅射材料和基片，最佳参数需要实验确定，是各不相同的，

镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否

保证好的真空腔清洁度。

MBE分子束外沿镀膜技术，已经比较好的解决了如上所属的问题，

但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的一体式镀膜机主要以

离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主

pvd一般术语

6.1.1真空镀膜vacuum coating：在处于真空下的基片上制取膜层

的一种方法。

6.1.2基片substrate：膜层承受体。

6.1.3试验基片testing substrate：在镀膜开始、镀膜过程中或镀

膜结束后用作测量和（或）试验的基片。

6.1.4镀膜材料coating material：用来制取膜层的原材料。

6.1.5蒸发材料evaporation material：在真空蒸发中用来蒸发的

镀膜材料。

6.1.6溅射材料sputtering material：有真空溅射中用来溅射的镀

膜材料。

6.1.7膜层材料(膜层材质)film material：组成膜层的材料。

6.1.8蒸发速率evaporation rate：在给定时间间隔内,蒸发出来的

材料量,除以该时间间隔

6.1.9溅射速率sputtering rate：在给定时间间隔内,溅射出来的材

料量,除以该时间间隔。

6.1.10沉积速率deposition rate：在给定时间间隔内,沉积在基片

上的材料量,除以该时间间隔和基片表面积。

6.1.11镀膜角度coating angle：入射到基片上的粒子方向与被镀

表面法线之间的夹角。

6.2工艺

6.2.1真空蒸膜vacuum evaporation coating：使镀膜材料蒸发

的真空镀膜过程。

6.2.1.1同时蒸发simultaneous evaporation：用数个蒸发器把各

种蒸发材料同时蒸镀到基片上的真空蒸发。

6.2.1.2蒸发场蒸发evaporation field evaporation：由蒸发场同

时蒸发的材料到基片上进行蒸镀的真空蒸发(此工艺应用于大面积蒸

发以获得到理想的膜厚分布)。

6.2.1.3反应性真空蒸发reactive vacuum evaporation：通过与

气体反应获得理想化学成分的膜层材料的真空蒸发。

6.2.1.4蒸发器中的反应性真空蒸发reactive vacuum

evaporation in evaporator：与蒸发器中各种蒸发材料反应,而获

得理想化学成分膜层材料的真空蒸发。

6.2.1.5直接加热的蒸发direct heating evaporation：蒸发材料

蒸发所必须的热量是对蒸发材料(在坩埚中或不用坩埚)本身加热的

蒸发。

6.2.1.6感应加热蒸发induced heating evaporation：蒸发材料

通过感应涡流加热的蒸发。

6.2.1.7电子束蒸发electron beam evaporation：通过电子轰击

使蒸发材料加热的蒸发。

6.2.1.8激光束蒸发laser beam evaporation：通过激光束加热蒸

发材料的蒸发。

6.2.1.9间接加热的蒸发indirect heating evaporation：在加热

装置(例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等)中

使蒸发材料获得蒸发所必须的热量并通过热传导或热辐射方式传递

给蒸发材料的蒸发。

6.2.1.10闪蒸flash evaportion：将极少量的蒸发材料间断地做瞬

时的蒸发。

6.2.2真空溅射vacuum sputtering：在真空中，惰性气体离子从

靶表面上轰击出原子（分子）或原子团的过程。

6.2.2.1反应性真空溅射 reactive vacuum sputtering：通过与气

体的反应获得理想化学成分的膜层材料的真空溅射。

6.2.2.2 偏压溅射bias sputtering：在溅射过程中，将偏压施加于

基片以及膜层的溅射。

6.2.2.3 直流二级溅射direct current diode sputtering：通过二

个电极间的直流电压，使气体自持放电并把靶作为阴极的溅射。

6.2.2.4非对称性交流溅射asymmtric alternate current

sputtering：通过二个电极间的非对称性交流电压，使气体自持放电

并把靶作为吸收较大正离子流的电极。

6.2.2.5高频二极溅射high frequency diode sputtering：通过二

个电极间的高频电压获得高频放电而使靶极获得负电位的溅射。

6.2.2.6热阴极直流溅射（三极型溅射）hot cathode direct current

sputtering：借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电所

产生的离子，由在阳极和阴极（靶）之间所施加的电压加速而轰击靶

的溅射。

6.2.2.7 热阴极高频溅射（三极型溅射）hot cathode high

frequency sputtering：借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，

气体放电产生的离子，在靶表面负电位的作用下加速而轰击靶的溅

射。

6.2.2.8离子束溅射ion beam sputtering：利用特殊的离子源获

得的离子束使靶的溅射。

6.2.2.9辉光放电清洗glow discharge cleaning：利用辉光放电原

理，使基片以及膜层表面经受气体放电轰击的清洗过程。

6.2.3物理气相沉积；PVD physical vapor deposition：在真空状

态下，镀膜材料经蒸发或溅射等物理方法气化，沉积到基片上的一种

制取膜层的方法。

6.2.4化学气相沉积；CVD chemical vapor deposition：一定化

学配比的反应气体，在特定激活条件下（通常是一定高的温度），通

过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方

法。

6.2.5磁控溅射magnetron sputtering：借助于靶表面上形成的正

交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，来增强电离效率，增

加离子密度和能量，因而可在低电压，大电流下取得很高溅射速率。

6.2.6 等离子体化学气相沉积；PCVD plasma chemistry vapor

deposition：通过放电产生的等离子体促进气相化学反应，在低温下，

在基片上制取膜层的一种方法。

6.2.7空心阴极离子镀HCD hollow cathode discharge

deposition： 利用空心阴极发射大量的电子束，使坩埚内镀膜材料

蒸发并电离，在基片上的负偏压作用下，离子具有较大能量，沉积在

基片表面上的一种镀膜方法。

6.2.8电弧离子镀arc discharge deposition：以镀膜材料作为靶

极，借助于触发装置，使靶表面产生弧光放电，镀膜材料在电弧作用

下，产生无熔池蒸发并沉积在基片上的一种镀膜方法。

6.3专用部件 N MmB3h?0c

6.3.1镀膜室coating chamber：真空镀膜设备中实施实际镀膜过

程的部件

6.3.2蒸发器装置evaporator device：真空镀膜设备中包括蒸发器

和全部为其工作所需要的装置(例如电能供给、供料和冷却装置等)在

内的部件。

6.3.3蒸发器evaporator：蒸发直接在其内进行蒸发的装置,例如小

舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等等,必要时还包括

蒸发材料本身。

6.3.4直接加热式蒸发器evaporator by direct heat：蒸发材料本

身被加热的蒸发器。

6.3.5间接加热式蒸发器evaporator by indirect heat：蒸发材料

通过热传导或热辐射被加热的蒸发器。

6.3.6蒸发场evaporation field：由数个排列的蒸发器加热相同蒸

发材料形成的场。

6.3.7溅射装置sputtering device：包括靶和溅射所必要的辅助装

置(例如供电装置,气体导入装置等)在内的真空溅射设备的部件。

6.3.8靶target：用粒子轰击的面。本标准中靶的意义就是溅射装置

中由溅射材料所组成的电极。

6.3.9挡板shutter：用来在时间上和(或)空间上限制镀膜并借此能

达到一定膜厚分布的装置。挡板可以是固定的也可以是活动的。

6.3.10时控挡板timing shutter：在时间上能用来限制镀膜,因此

从镀膜的开始、中断到结束都能按规定时刻进行的装置。

6.3.11掩膜mask：用来遮盖部分基片,在空间上能限制镀膜的装置。

6.3.12基片支架substrate holder：可直接夹持基片的装置,例如

夹持装置,框架和类似的夹持器具。

6.3.13夹紧装置clamp：在镀膜设备中用或不用基片支架支承一个

基片或几个基片的装置,例如夹盘,夹鼓,球形夹罩,夹篮等。夹紧装置

可以是固定的或活动的(旋转架,行星齿轮系等)。

6.3.14换向装置reversing device：在真空镀膜设备中,不打开设

备能将基片、试验玻璃或掩膜放到理想位置上的装置(基片换向器,试

验玻璃换向器,掩膜换向器)。

6.3.15基片加热装置substrate heating device：在真空镀膜设备

中,通过加热能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置。

6.3.16基片冷却装置substrate colding device：在真空镀膜设备

中,通过冷却能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置。

6.4真空镀膜设备

6.4.1真空镀膜设备vacuum coating plant：在真空状态下制取膜

层的设备。

6.4.1.1真空蒸发镀膜设备vacuum evaporation coating plant：

借助于蒸发进行真空镀膜的设备。

6.4.1.2真空溅射镀膜设备vacuum sputtering coating plant：

借助于真空溅射进行真空镀膜的设备。

6.4.2连续镀膜设备continuous coating plant：被镀膜物件（单

件或带材）连续地从大气压经过压力梯段进入到一个或数个镀膜室，

再经过相应的压力梯段，继续离开设备的连续式镀膜设备。

6.4.3半连续镀膜设备semi- continuous coating plant：被镀物

件通过闸门送进镀膜室并从镀膜室取出的真空镀膜设备

1. PVD的含义 —

PVD是英文Physical Vapor Deposition的缩写，中文意思是“物

理气相沉积”，是指在真空条件下，用物理的方法使材料沉积在被镀

工件上的薄膜制备技术。

2. PVD镀膜和PVD镀膜机 —

PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅

射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀

膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这

三种。

近十多年来，真空离子镀膜技术的发展是最快的，它已经成为当今最

先进的表面处理方式之一。我们通常所说的PVD镀膜 ，指的就是真

空离子镀膜；通常所说的PVD镀膜机，指的也就是真空离子镀膜机。

3. PVD镀膜技术的原理 —

PVD镀膜（离子镀膜）技术，其具体原理是在真空条件下，采用低

电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发

物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反

应产物沉积在工件上。

2. 4. PVD镀膜膜层的特点 —

采用PVD镀膜技术镀出的膜层，具有高硬度、高耐磨性（低摩擦系

数）、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点，膜层的寿命更长；同时

膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。

5. PVD镀膜能够镀出的膜层种类 —

PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表

面处理方法，它能够制备各种单一金属膜（如铝、钛、锆、铬等),氮

化物膜（TiN、ZrN、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN),以及

氧化物膜（如TiO等)。

6. PVD镀膜膜层的厚度 —

PVD镀膜膜层的厚度为微米级，厚度较薄，一般为0.3μm ～ 5μm，

其中装饰镀膜膜层的厚度一般为0.3μm ～ 1μm ，因此可以在几

乎不影响工件原来尺寸的情况下提高工件表面的各种物理性能和化

学性能，镀后不须再加工。

7. PVD镀膜能够镀出的膜层的颜色种类 —

PVD镀膜目前能够做出的膜层的颜色有深金黄色，浅金黄色，咖啡

色，古铜色，灰色，黑色，灰黑色，七彩色等。通过控制镀膜过程中

的相关参数，可以控制镀出的颜色；镀膜结束后可以用相关的仪器对

颜色进行测量，使颜色得以量化，以确定镀出的颜色是否满足要求。

8. PVD镀膜与传统化学电镀（水电镀）的异同 —

PVD镀膜与传统的化学电镀的相同点是，两者都属于表面处理的范

畴，都是通过一定的方式使一种材料覆盖在另一种材料的表面。两者

的不同点是：PVD镀膜膜层与工件表面的结合力更大，膜层的硬度

更高，耐磨性和耐腐蚀性更好，膜层的性能也更稳定；PVD镀膜不

会产生有毒或有污染的物质。

9. PVD镀膜技术目前主要应用的行业 —

PVD镀膜技术的应用主要分为两大类：装饰镀膜和工具镀膜。装饰

镀的目的主要是为了改善工件的外观装饰性能和色泽同时使工件更

耐磨耐腐蚀延长其使用寿命；这方面主要应用五金行业的各个领域，

如门窗五金、锁具、卫浴五金等行业。工具镀的目的主要是为了提高

工件的表面硬度和耐磨性，降低表面的摩擦系数，提高工件的使用寿

命；这方面主要应用在各种刀剪、车削刀具（如车刀、刨刀、铣刀、

钻头等等）、各种五金工具（如螺丝刀、钳子等）、各种模具等产品

中。

10. PVD镀膜（离子镀膜）技术的主要特点和优势 —

和真空蒸发镀膜真空溅射镀膜相比较，PVD离子镀膜具有如下优点：

1 ．膜层与工件表面的结合力强，更加持久和耐磨

2 ．离子的绕射性能好，能够镀形状复杂的工件

3 ．膜层沉积速率快，生产效率高

4 ．可镀膜层种类广泛

5 ．膜层性能稳定、安全性高（获得FDA认证，可植入人体）

真空蒸发镀膜 真空溅射镀膜 真空离子镀膜 三种镀膜方式的比较

比较项目 真空蒸发镀膜 真空溅射镀

膜 真空离子镀膜

压强

（×133Pa） 10E-5~10E-6 0.15~0.02

0.02~0.005

粒子能量

中

性 0.1~1eV 1~10eV

0.1~1eV

离

子 － －

数百到数千

沉淀速率（微米 /

分） 0.1~70 0.01~0.5 0.1~50

绕射性 差 较

好 好

附着能力 不太好 较

好 很好

薄膜致密性 密度低 密度

高 密度高

薄膜中的气孔 低温时较

多 少 少

内应力 拉应力 压应

力 压应力

大家说的真空电镀其实是很笼统的，真空电镀含盖的内容其实很广：

PVD（physical vapor deposition）、CVD（chemical vapor

depositon）、分子束外延以及离子注入等。我们通常所说的真空电

镀主要指PVD（物理气象沉积）。

在PVD中，根据膜层沉积方法又可以再细分为：蒸发整镀、溅射镀

和离子镀。蒸发整镀主要运用于光学和塑胶领域，是真空镀最早应用

的方法。溅射镀兴起主要是在20世纪70年代后期，以磁控镀膜技

术为代表，在大面积镀幕墙玻璃上面获得最大的应用，其次是电子线

路坂和各种磁介质记录膜层。离子镀则主要应用于刀具和阻热膜等，

特别是航太发动机外涂层，必须通过真空电镀才能获得理想的耐温阻

热效果。

近年来，由于环保理念、加工成本、技术瓶颈及膜层性能等方面的不

管提升，在装饰性电镀领域越来越多的IT类产品由传统的湿法电镀

转为真空电镀，尤其以NOKIA、MOTO、SONY-ERICASSON等

大品牌手机，纷纷要求用真空电镀装饰产品表面外观，而且这一潮流

也逐渐被人们所接受。真空电镀行业正在成为表面处理行业的另外一

支新兴力量，正在全球范围迅速发展中。

以常用的磁控溅射镀膜工艺为例，简单介绍一下生产工艺流程：

成型--表面处理--清洗--镀膜--检验

镀膜工艺是整个电镀工艺的核心，其又可细分为以下步骤：抽气--烘

烤--深冷--离子轰击--预溅射--镀膜--做面层--冷却--充大气

在整个镀膜生产中，设备的稳定性是一个很重要的控制点，其稳定的

镀膜状态是获得优良膜层的必要和关键因素。

通常我们把真空镀膜设备划分为以下几个系统：真空获得系统、传动

系统、加热和冷却系统、检测系统、镀膜系统以及控制面板。

在真空镀膜种，平时设备的保养是关键，如果真空室挡板和炉壁的镀

层过厚，不仅吸附气体严重，造成抽气困难，真空度下降，而且镀层

厚度过大而剥落，影响工件外观品质。

在装饰领域传统的真空电镀有蒸发镀、溅射镀和离子镀，其适用的领

域也不一样。

塑胶电镀主要采用蒸发镀，其主要流程有：上挂--脱脂--喷涂底漆--

真空蒸发镀--喷涂面漆--下挂--检验，有许多师傅只看中蒸镀工序的

重要，而忽略了喷涂这一工序的重要，往往蒸发镀的不良就是在喷涂

底漆这一工序造成的。另外在蒸发镀工件放置的距离和旋转对膜层的

均匀性以及外观也是非常重要的，要求我们在选择真空镀膜设备的时

候对此必须考虑全面。

一般的五金电镀主要采用溅射镀和离子镀，甚至是两种真空镀膜方式

的结合。离子镀对工件表面的损伤会更严重，但是结合力要优于其他

镀膜。溅射镀膜特别是近些年兴起的中频磁控溅射镀膜工艺的发展，

其沉积速度快，膜层致密，外表光亮、工艺稳定重现性好等一系列优

点，正在成为五金电镀的首选。

真空电镀，自二次世界大战首次正式应用于工业化生产以来，走过了

一段很漫长的发展路程。

真空电镀首先是应用于光学领域，二战中德国人首先采用真空蒸发镀

膜法镀制了大量的光学镜片应用于军事望远镜和瞄准镜，并一直发展

到高透过率、高反射率、分光过滤等现代光学玻璃镀膜应用；在另一

真空镀的应用领域：新兴的电子行业，真空镀膜法被大量应用于电阻、

电容和半导体的制造，后来这一技术又逐渐发展成为集成电路和微电

子器件的细微加工领域，并一直应用到现在；同样新兴的材料改性也

需要提供大量具有特殊性能的工程材料，而在材料改性和薄膜技术方

面真空电镀又是走在了技术的前沿，特别是在高腐蚀、高耐温、高强

度、高润滑等领域，真空镀膜法有其强大的技术优势并将一直发展下

去；伴随着真空电镀设备和技术的不断改进，加工成本的不断降低，

特别是自70年代后期磁控溅射镀膜工艺和设备的发展，越来越多的

真空镀膜加工被应用到装饰+防腐领域，特别是在一些高端消费品的

表面装饰已经可以看到真空电镀的应用了。

真空电镀有着其自身不可替代的优势：镀膜种类广泛（理论上可镀

任何材料）、膜层控制精确（可以实现纳米精细加工）、环抱无害（无

传统湿法电镀的废液、废气污染）、膜层性能优异、节约金属材料等

一系列优势，其广泛的应用领域正再给传统的表面处理手段带来强大

的冲击。当然，真空电镀也不是无所不能，其自身也存在一些局限，

列如：设备投入昂贵、技术要求高、行业配套服务不健全以及人们对

真空电镀行业的不了解等，但是本人相信随着真空电镀技术的不断发

展以及应用领域的不断延伸，所有的这些局限必将被一一解决，真空

电镀应用的未来必定不可限量。

理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)是将清洁处理

过的工件于真空环境中或等离子环境中的表面成膜技术。在PVD工艺

中，包括有电阻蒸发、电子束蒸发、溅射和离子镀四种专门蒸发工艺。

按工艺流程划分,膜层的生成必须经过固体→气体→固体三个阶段。

即把需要蒸发的固体材料,通过某种形式,使之加热溶解至气化(有的

材料不经熔解便直接气化，称为升华)最后沉积下来又成为固体的膜

层。在此期间，由于由气体变成固体时，恢复不到原来固体的结晶状

态，而一般形成非晶质，其中还夹杂有其它的不纯物。因此，根据不

同目的要求，选择相应的蒸发工艺至关重要。

电阻蒸发工艺的膜层质量最低劣,但其设备和工艺最简单,造价

最低廉。就电子束蒸发、溅射和离子镀三种工艺相比较,在膜厚牢固

方面,由蒸发原子能量所决定,(电子束蒸发为0.5 eV,溅射为5 eV,

离子束可达几百电子伏)离子镀最优,溅射次之,电子束蒸发最差；而

在膜层纯度方面,则恰好相反,即电子束蒸发最优、溅射次之,离子镀

最劣。三种方法,各有所长。应用中应根据需要取其长避其短。

蒸发源常用金属材料为钨、钽和钼,它们可以做成蒸发盘、蒸发

筐等。电子束蒸发源的设计,根据不同的应用和要求,有多种多样的型

式。如环形枪、多点式电子枪、皮尔斯枪、缪勒枪、施泰枪、e型枪

等，但是,按种类划分，不外乎只有两种类型。即静电式电子枪和电

磁式电子枪两大类。溅射方式则有二极溅射、三级或四极溅射、磁控

溅射(高速低温溅射)、对向靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交

流溅射、离子束溅射、吸气溅射等。离子镀的种类有，直流放电二极

型(DCIP)、多阴极型、活性反应蒸镀(ARE)、空心阴极放电离子镀

(HCD)、射频放电离子镀(RFIP)等。

PVD技术应用很广。例如,工艺品装饰品制作、各种玻璃镀膜、

太空棉、包装用纸镀铝、塑料制品金属化、光学膜、金属件表面耐磨

硬化膜以及各种其它功能膜等。