常用高频场效应管参数

常用高频场效应管参数


2024年5月16日发(作者:几百块的平板电脑哪个牌子好)

四、高频场效应管

GaAs微波低噪声场效应管 适用于卫星接收及微波通信等

型 号 特 点 f

T

(GHz) V

DS

(V) I

D

(mA) gm(ms) NF(dB) PG(dB)

FHX04X

FHX05X

FHX06X

ATF10136

ATF10236

ATF20136

SGM5102

FSC11LF

SGH5612

NE72084

MGF1302

MGF1303

MGF1423

MGF4310

MGF1423

MGF1902

MGF1903

卫星接收

卫星接收

卫星接收

超低噪声

超低噪声

超低噪声

12

12

12

12

12

12

12

12

12

12

12

12

12

12

12

12

12

3.5

3.5

3.5

2

2

2

5

8

4

5

6

6

6

4

3

3

3

30

30

30

25

25

25

30

90

70

150

60

40

60

50

80

100

80

45

45

45

25

40

50

40

45

40

35

0.75

0.75

0.75

0.5

0.8

1.2

1.8

1.0

1.05

0.8

<1.4

<1.0

<2.3

<1.4

<2.3

<4.0

<2

10.5

10.5

10.5

13

13

13

8.5

13

10.5

>11

>12

>8

>9.5

>8

>5

>8

测定条件

12GHz

12GHz

12GHz

4GHz

4GHz

4GHz

12GHz

4GHz

12GHz

4GHz

4GHz

4GHz

12GHz

12GHz

12GHz

12GHz

12GHz

封 装

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

N-02

GaAs微波中功率场效应管

型 号 特 点 f

T

(GHz)

MGF1601

ATF10136

ATF10236

ATF20136

Po=21dBm

Po=20dBm

Po=20dBm

Po=20dBm

12

12

12

12

V

DS

(V)

12

2

2

2

I

D

(mA)

250

25

25

25

gm(ms) NF(dB) PG(dB)

90

0.5

0.8

1.2

8

13

13

13

测定条件

8GHz

4GHz

4GHz

4GHz

封 装

N-02

N-02

N-02

N-02

GaAs微波大功率场效应管

型 号

MGF0904

MGF0905

FLL351

FLL120

FLL500I

FLL600

特 点

Po=28dBm

Po=33dBm

Po=3.3W

Po=10W

Po=50W

Po=60W

f

T

(GHz)

1.65

1.65

2.3

2.3

2

2

V

DS

(V)

8

8

10

10

12

12

I

D

(mA)

200

800

Gm

(ms)

200

800

P

1dB

(

dBm

)

35.5

40

PG

(dB)

13

8

11.5

10

10

10

测定条件

1.65GHz

1.65GHz

2.3GHz

2.3GHz

2GHz

2GHz

外 形

14×4.3×1mm

14×4.3×1mm

GaAs双栅场效应管

型 号 特 点

*3SK240

*3SK228

*3SK239

3SK229

超低噪声

f

T

(GHz)

1.0

1.0

1.0

1.0

V

DS

(V)

9

12

12

12

I

D

(mA)

50

50

50

50

gm(ms) NF(dB) PG(dB)

19

34

31

34

1.0

1.3

1.3

1.3

20.5

19.6.

19

20

测定条件

0.8GHz

0.9GHz

0.9GHz

0.9GHz

封 装

SC-82

SC-82

SC-82

SOT14

3SK184

3SK165

CF930

3SK241

3SK191

3SK121

3SK129

1.0

2.0

2.0

1.0

1.0

1.0

1.0

13

8

10

13

12

10

13

50

80

80

50

80

50

50

23

22

25

23

>10

17

25

1.2

1.6

1.5

1.5

1.5

1.5

1.2

16

17

17

19

12

20.5

17

0.9GHz

2GHz

2GHz

0.9GHz

0.9GHz

0.9GHz

1GHz

SOT14

SOT14

SOT14

SOT14

SOT14

N-02

N-02

MOS双栅场效应管

型 号 特 点

BF994

3SK194

3SK122

3SK131

3SK151

3SK197

3SK195

3SK123

3SK132

3SK146

3SK199

3SK207

超低噪声

超低噪声

变频适用

变频适用

f

T

(GHz)

V

DS

(V) I

D

(mA)

0.2

0.2

0.2

0.2

0.25

0.25

0.2

0.9

0.9

0.8

0.8

0.8

20

15

20

20

15

12

13

18

20

13

13

13

20

35

25

25

30

35

30

25

25

30

30

30

gm(ms) NF(dB)

15

17

28

28

27

27

13

18

22

16

21.5

21.5

1.0

1.0

1.2

1.3

5.5

5.5

1.1

2.8

2.8

2.6

1.9

1.9

PG(dB)

18

30

24

24

24.5

24

27

17

22

17.5

19.5

19.5

测定条件

200MHz

200MHz

200MHz

200MHz

245MHz变频

230MHz变频

200MHz

900MHz

900GHz

800MHz

800MHz

800MHz

封 装

SOT143

SOT143

SOT143

SOT143

SOT143

SOT143

SOT143

SOT143

SOT143

SOT143

SOT143

SOT143

小信号高频场效应管

型 号 用 途 构造 f

T

(GHz) V

DS

(V)

2SK507

2SK508

2SK302

2SK238

2SK210

2SK360

2SK168

2SK241

2SK192

振荡用

振荡用

高放

高放

高放

高放

高放

高放

高放

结型

结型

MOS

结型

结型

MOS

结型

MOS

结型

0.8

0.8

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

15

15

20

20

18

20

30

20

18

I

D

(mA)

50

50

30

10

10

12

20

30

10

gm(ms) NF(dB) PG(dB) 测定条件

26

26

14

3.5

7.0

14

10

10

7

1.7

3.0

1.8

2.0

1.7

1.7

1.8

28

21

24

30

27

28

24

100MHz

100MHz

100MHz

100MHz

100MHz

100MHz

100MHz

封 装

SOT-23

SOT-23

SOT-23

SOT-23

SOT-23

SOT-23

TO-92

TO-92

TO-92


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