2024年2月12日发(作者：联想y560笔记本参数)

前驱体、SOD：薄膜工艺关键材料，市场需求快速增长

前驱体是薄膜沉积工艺中的关键材料。薄膜沉积技术是 IC 制造过程中关键技术，

而沉积不同材料的薄膜能够精确控制 IC 内部构造的成型，以实现不同的电气特性。半导体前驱体是半导体薄膜沉积工艺的核心制造材料，应用于半导体生产制造工艺，携带有目标元素，呈气态或易挥发液态，具备化学热稳定性，同时具备相应的反应活性或物理性能，在半导体制造过程中，前驱体主要用于 IC 制造的物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）等薄膜制备工艺。此外，前驱体还可用于薄膜封装技术（TFE）中，作用是水汽阻隔，延长有机发光物质寿命，是OLED 工艺中的核心技术之一。

图 12：CVD 工艺简图及前驱体应用

图 13：ALD 工艺简图及前驱体应用

按照用途，前驱体产品分为高介电常熟前驱体（High-K）、氧化硅及氮化硅前驱体和金属及金属氮化物。High-K 前驱体产品具有热稳定性好、工艺可靠性高、挥发性强等特点，可使器件漏电减少 10 倍左右，大幅提升了处理器的良品率。氧化硅及氮化硅前驱体产品主要用于双重微影技术、侧壁空间层等，以保护集成电路栅极的电学性质。金属及金属氮化物前驱体产品主要用于半导体存储、逻辑芯片中的电容电极、栅极过渡层、隔离材料以及相变存储器中的相变材料。

前驱体材料市场小而美，技术迭代推动需求，High-K 前驱体是未来趋势。随着芯片制造业快速发展，前驱体市场近年来快速增长，根据富士经济数据，2014

年全球前驱体销售规模约 7.5 亿美元，2019 年约 12 亿美元，CAGR 达到 10%。先进制程使得在芯片薄膜沉积工艺中起关键作用的前驱体材料需求扩张。其中，

高介电常数（High-K）产品主要用于在 45nm 及以下半导体制造工艺流程，根据

GMI 预计，2024 年ALD/CVD 前驱体High-K 材料市场规模将达到 9.5 亿美元。

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