2024年3月18日发(作者：旺旺app)

内存外观区别很直接：

SDR：

两个缺口、单面84针脚、双面168针脚

DDR1：

一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、

内存颗粒长方形

DDR2：

一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右

56、内存颗粒正方形、电压1.8V

DDR3：

一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右

48、内存颗粒正方形、电压1.5V

安装好CPU后，接下来就要开始安装内存条了。在安

装内存条之前，可以在主板说明书上查阅主板可支持

的内存类型、可以安装内存的插槽数据、支持的最大

容量等等。虽然这些都是很简单的，但是你知道不同

内存条是如何区分的吗？你知道EDO RAM内存为什么

必须成对才能使用吗？你知道RDRAM内存插槽的空余

位置为何要插满终结器才能使用吗？这些都是安装

内存条所必须了解的。如果你还不知道，那么这篇文

章就非常适合你。

一、从外观上识别内存

从计算机诞生开始，内存型态的发展真可谓千变

万化。因此，下面先着重介绍内存的种类及其外观，

好让大家对它们进行分辨，这也是大家在装机过程中

必须了解的。从内存型态上看，常见的内存有：FPM

RAM、EDO RAM、SDRAM、DDR RAM、Rambus DRAM，如

图1所示。从外观上看，它们之间的差别主要在于长

度和引脚的数量，以及引脚上对应的缺口。

FPM RAM主要流行在286、386时代，当时使用的是

30pin的FPM RAM内存，容量只有1MB或2MB。而在

486时代，及少数586电脑也使用72pin的FPM RAM

内存。EDO RAM主要应用在486、586时代，也有72pin

和168pin之分。从外形上看，30pin的FPM RAM内存

的长度最短，72pin的FPM RAM和EDO RAM内存的长

度稍长一些，而168pin和EDO RAM内存与大家常见

的SDRAM内存是基本一样的。这几种内存很容易就可

以在长度和引脚的数量上区分开来。只不过这些内存

如今基本上已经销声匿迹了。

小提示：由于EDO RAM与FPM RAM内存的内存数据

宽度均为32位，而奔腾及其以上级别的数据总线宽

度都是64位。因此，要想在奔腾及其以上级别的电

脑中使用这些内存条，就必须同时使用二根同样的内

存条。成对的二根内存条最好是使用相同型号，且相

同容量的内存条。

大家最常见到的SDRAM内存具有168个引脚，引

脚上有两个不对称的缺口。在SDRAM内存的两侧，还

可以发现各有一个缺口。如果是PC100/133 SDRAM，

会在内存条上包含一个8针的SPD芯片，这是识别

PC100/133内存的一个必要条件和重要标志。但是大

家也要注意，有SPD芯片不一定代表这条SDRAM内存

就是PC100/133，但如果没有则肯定不是。

接下来，我们再来看看DDR RAM与SDRAM有什么

不同。从外形上看，DDR RAM和传统的SDRAM区别并

不很大，它们的金手指具有相同的总长度。但是，DDR

RAM内存具有184个引脚，引脚上也只有一个小缺口。

另外，在DDR RAM内存的两侧，各有两个缺口。

Rambus DRAM（也称为RDRAM）内存的引脚也跟

DDR RAM内存一样，采用184个引脚。但是它看上去

和SDRAM和DDR RAM是完全不一样的。首选在RDRAM

的外面包裹着一层金属屏蔽罩，以减少电磁干扰。大

家注意看它的引脚，在中间的两个缺口附近没有设计

引脚，这两个缺口也与SDRAM上的两个缺口是不一样

的哦。在RDRAM内存的两侧，各有一个缺口。

小知识：SIMM、DIMM、RIMM

不同的内存条必须安装在主板上的专用内存插

槽上。应用在台式电脑的内存插槽主要有：SIMM、

DIMM、RIMM，这些都会在主板的内存插槽边上，以及

主板说明书上标示出来。

SIMM（Single In-Line Memory Module，单边接

触内存模组）是486及其较早的PC机中常用的内存

插槽。SIMM内存插槽主要有两种型态：30pin和72pin。

30pin的单面内存条是用来支持8位的数据处理量。

72pin的单面内存条是用来支持32位的数据处理量。

因此，例如一次可处理64位的英特尔奔腾系列的中

央处理器，你需要8条30pin或2条72pin的内存条

来支持它。在486以前，大多采用30pin的SIMM插

槽，或者与72pin的SIMM插槽并存；而在Pentium

中，应用更多的则是72pin的SIMM接口，或者是与

DIMM插槽并存。

DIMM(Dual In-Line Memory Module，双边接触

内存模组)内存插槽是指这种类型接口内存的插板的

两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存通常为

84pin或92pin，但由于是双边的，所以一共有

84×2=168pin或92×2=184pin接触。DIMM内存插槽

支持64位数据传输，使用3.3V电压。

RIMM（Rambus In-Line Memory Module）内存插

槽就是支持Direct RDRAM内存条的插槽。RIMM有

184pin，资料的输出方式为串行，与现行使用的DIMM

模块168pin，并列输出的架构有很大的差异。

二、安装内存条

在安装内存条之前，大家不要忘了看看主板的说

明书，看看主板支持哪些内存，可以安装的内存插槽

位置及可安装的最大容量。不同内存条的安装过程其

实都是大同小意的，这里主要说明常见的SDRAM、DDR

RAM、RDRAM内存。

STEP1：首先将需要安装内存对应的内存插槽两侧

的塑胶夹脚（通常也称为“保险栓”）往外侧扳动，

使内存条能够插入，如图2所示。

STEP2：拿起内存条，然后将内存条的引脚上的缺

口对准内存插槽内的凸起（如图3所示）；或者按照

内存条的金手指边上标示的编号1的位置对准内存插

槽中标示编号1的位置。

STEP3：最后稍微用点用力，垂直地将内存条插到

内存插槽并压紧，直到内存插槽两头的保险栓自动卡

住内存条两侧的缺口，如图4所示。

小提示：在任何一块支持RDRAM的主板上，你都能够

看到RIMM内存插槽是成对出现。因为RDRAM内存条

是不能够一根单独使用，它必须是成对的出现。RDRAM

要求RIMM内存插槽中必须都插满，空余的RIMM内存

插槽中必须插上传接板（也称“终结器”），这样才

能够形成回路，如图5所示。

时下国际内存颗粒价格一路走高，于是大量假冒伪劣

内存再次浮出水面，毕竟过高的价格差值成为他们铤

而走险的导火索。所以打磨条、水货条、山寨货、甚

至二手翻新条都出现在北京中关村市场内。这些假冒

伪劣内存的出现，不仅严重威胁着消费者的权益，更

成为阻碍整个内存市场良性发展的一颗毒瘤。

其实内存的生产门槛并不高，内存主要的部件就是

DRAM颗粒和PCB板，而DRAM颗粒是造假最常用到的。

下面寻修网/就揭秘内存市

场集中比较典型的造假手段，希望对您今后购买起到

一定的帮助。

为何造假？

理由其实很简单——利益。内存造假并不能算是一个

新的话题，早在SDRAM内存占据主流市场的时代，造

假就已经成为不法内存厂商和经销商们最主要的获

利手段。

假冒内存有什么危害？

如果消费者不小心购买了劣质内存条，在使用过程中

麻烦就会接踵而来，系统经常性蓝屏死机、不规则重

启，有甚者颗粒烧毁并秧及电脑内的其他硬件，后果

非常严重。而且假条在产品质量极差的情况下，又没

有售后服务，肯定会损害到消费者的利益。

内存颗粒

常见的造假方式有那些？

目前最为常见的几种造假手段主要有：以次充好、打

磨、改字和翻修。以次充好，就是指奸商将一些坏掉

但依旧可以利用的内存条经过特殊的处理，使其中一

部分好的内存颗粒正常工作，然后将其再次拿到市场

上按照全新产品出售。打磨也就是我们通常所说的

REMARK，奸商将内存颗粒表面的字迹擦除，然后再重

新标上金士顿、Kingmax、现代等名牌标签。改字条

就是将内存颗粒表面的部分字母或者数字改写。翻修

就是将回收到的“垃圾芯片”重新焊接在PCB电路板

上当新品卖。这些内存往往因为生产简陋，没有经过

出厂测试，所以质量根本没有保证。

哪些内存产品容易被仿造？

造假者都有一个共性：只要那个品牌被消费者所青

睐，他们就会伺机而动，疯狂仿冒。金士顿作为全球

第一大独立内存模组制造商，更是被造假者当成重点

目标，这不但侵害了金士顿的利益，也严重危及到用

户权益。

猜猜哪条是真的，哪条是假的？

下图真品内存为之前笔者拍的金士顿2GB/667笔记本

内存颗粒特写，采用和假金士顿内存同样的尔必达颗

粒，从图中可以清晰看出，真品内存颗粒印刷清晰，

而假内存的颗粒则非常暗淡，对比非常鲜明。

芯片颗粒对比

其实对于一款内存来说，PCB电路板仅占内存成本的

百分之十以内，而颗粒价格才是真正的“大头”。所

以通常PCB基本均为正规代工厂制造，而颗粒则采用

行话里的“白片”，就是业内所说的次品颗粒，价格

非常便宜，但稳定性和兼容性很差。

细节处对比（真品）

从上面图中可以看出两处破绽，其中第一处就是金士

顿R型商标的微缩字体印刷，在注册商标“R”的周

围应该清楚印着KINGSTON英文，这里由于笔者的相

机缘故不能清晰显示出来，不过对照假内存胡乱瞎画

而言已经清晰很多了。

细节处对比（假货）

另外一点，请仔细看标签内部的水印，假内存水印和

KINGSTON字体衔接处都有明显的痕迹，明显是后印上

去的，这点在真金士顿内存中是不会发现的。

金士顿官方网站“一分钟正品鉴定”

虽然金士顿内存常年被假货困扰，但是依然是内存行

业的销量冠军，这说明大多数消费者还是认可金士顿

内存的兼容性和稳定性。但是用户在购买内存的时候

一定要用笔者上述的方法仔细鉴定一番，然后在通过

网上或者短信查询方式鉴别，这样购买到假货的几率

就会大大减少。如果能够直接去金士顿指定商家购买

产品的话，那么就更放心了。

内存散热片里面不为人知的秘密

其实，内存市场不光只是打磨颗粒内存，还存在一些

“超频”条。而这些超频条多半会用马甲散热片作为

掩饰，一旦马甲被撕破，谎言也随即被揭穿。

威刚红龙DDR2-1066+内存

不知道大家对威刚2GB DDR2-800+红龙上市还有没有

印象，当时这款内存威刚是包超条，就是每款内存都

可以轻松超值DDR2-1066，虽然价格稍显贵，但是超

频后的性价比非常高。为此，很多不法商家就到市场

各个柜台收集一些DDR2-800的内存，比如创见、金

士顿等等，然后在里面挑选一些超频性能稍好的，再

加上红色威龙的壳子，就成为了名副其实的“威刚红

龙”内存。这样的好处就是通过购买低价的DDR2-800

条子，加以伪装就可以卖到比这高出好几十的价格，

利润非常可观。

另外一条内幕消息就是三星的大量DDR3-1333内存被

收购，不知道大家对笔者的《神条再现 三星2GB内

存激超DDR3-1800》这篇文章还有没有印象，这批三

星金条体制非常好，所以很多商家就都拿他来做海盗

船的内存，加上马甲后就可以卖到DDR3-1600或者更

高的频率，这样的利润相比谁看了都会留下口水。

● 超频前后内存带宽/延时测试对比

三星 2GB DDR3-1333内存超频测试

Int

（整型带宽）

Float

（浮点运延时

算）

7324

77

内存参数设置

CL=7

DDR3-1333(默认)

CL=9

DDR3-1600(OC)

CL=8

DDR3-1600(OC)

CL=9

DDR3-1800(OC)

7307

8247

8227

73

8201

8259

71

9305

9294

67

海盗船4GB DDR3-1600内存标签

虽然这些内存不是所谓的打磨垃圾内存，但是也属于

造假欺骗消费者，所以用户在购买带散热片内存的时

候一定要到指定的代理处购买，切忌不要到小柜台炒

货，以免上当受骗。

不同类型的防呆缺口缺口不同

防呆缺口不同意味着不同类型的内存不能混用

但同一类型不同频率的内存可以混用

只不过频率高的内存会自动降频至频率低的内存的

工作频率 这样会造成性能浪费.

SDR有PC-100 和 PC-133

DDR有226 333 400

DDR2有533 667 800 1066

DDR3有1066 1333 1600 2000 甚至更高

支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同

的主板所支持的内存类型是不相同的。早期的主板使

用的内存类型主要有FPM、EDO、，SDRAM、RDRAM，目

前主板常见的有DDR、DDR2内存。

FPM内存

FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是

较早的PC机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲

周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。

EDO内存

EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的

简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间

间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地

缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。

EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO

内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早

期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，

采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成

对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片

组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上

见到。

SDRAM内存

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access

Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普

遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽

64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在

一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同

的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。

SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，

当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已

为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密

切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可

用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。

SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片

组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的

普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。

RDRAM内存

RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory

（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus

公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内

存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传

输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲

的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820

芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初

得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及

Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主

流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM

迅速取代，市场份额很小。

DDR SDRAM内存

DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous

Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态

随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM

相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更

新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉

冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟

的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM

多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR 266与PC 133

SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达

到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流

的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类

型。

DDR2

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC

（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存

技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同

就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进

行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于

上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。

换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的

速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速

度运行。

DDR2内存的频率

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用

FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的

TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为

良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作

与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的

发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过

DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一

代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常

规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器

技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越

高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势

所趋。

DDR2与DDR的区别：

在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一

组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实

际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有

两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，

虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和

下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有

两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，

在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为

200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的

DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举

例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后

者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400

具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的

核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频

率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于

DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们

所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发

热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率

提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装

形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，

它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会

影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的

核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采

用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装

形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为

DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好

的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的

2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与

更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的

技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱

动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR

II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的

电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS

的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信

号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使

用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信

号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成

本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不

一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反

射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也

较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号

反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好

的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。

DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样

可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低

主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能

比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效

率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/

命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS

命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持

有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive

Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行

设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周

期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了

DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸

多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问

题终将得到解决。

ECC并不是内存类型，ECC（Error Correction

Coding或Error Checking and Correcting）是一种

具有自动纠错功能的内存，英特尔的82430HX芯片组

就开始支持它，使用该芯片组的主板都可以安装使用

ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应

用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中，例如

服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况

不会经常发生，而且普通的主板也并不支持ECC内存，

所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。

DDR，DDR2和DDR3

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为

DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是

SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩

写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内

存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM

生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通

SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，

可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是

在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个

时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期

和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动

态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线

频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，

使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执

行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay

Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)

技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤

波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新

同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要

提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在

时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是

标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他

们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184

针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的

控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是

支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的

3.3V电压的LVTTL标准。

DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率

400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz

到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是

200/266/333MHz，工作电压为1.8V。DDR2采用全新

定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于DDR

的184PIN DIMM接口标准。

DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降

延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在

于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR

内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于

DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单

的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的

两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，

更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破

标准DDR的400MHZ限制。

最后说下DDR3，其实它相对来说我觉得叫

DDR2pro应该更为贴切，因为它其实是DDR2的延伸，

只是提升了频率降低了能耗，实际的技术并没有特别

的变化。现在DDR3内存相对来说似乎还是一些中高

档显卡用的,系统用到的还比较少..