2024年4月9日发(作者：)

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２００８年第５期总第２６８　

实际应用条件下Ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ开关特性研究（下）　

方　波　，张元敏　，崔卫群　

（１．许昌学院电信学院　河南许昌４６１０００；２．信息工程大学　河南郑州４５０００１）　

摘　要：从功率ＭＯＳＦＥＴ内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率ＭＯＳＦＥＴ的开关现象及其原因进行了较　

深入分析。从实际应用的角度，对功率ＭＯＳＦＥＴ开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算　

方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率ＭＯＳＦＥＴ的正确运用和设计合理的　

ＭＯＳＦＥＴ驱动电路具有指导意义。　

关键词：功率ＭＯＳＦＥＴ；开关现象；开关特性；密勒效应；开关损耗　

中图分类号：ＴＮ３８６　文献标识码：Ａ　文章编号：１００４—３７３Ｘ（２ＯＯ８）Ｏ５—１４５—０４　

Ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　Ｐｒｏｐｅｒｔｙ　ｏｆ　Ｐｏｗｅｒ　Ｍｏｓｆｅｔ　ｕｎｄｅｒ　Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ（Ⅱ）　

ＦＡＮＧ　１３ｏ　，ＺＨＡＮＧ　Ｙｕａｎｍｉｎ　，ＣＵＩ　Ｗｅｉｑｕｎ　

（１　Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ＆Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｘｕｃｈａｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｕｃｈａｎｇ，４６１０００，Ｃｈｉｎａ；　

２．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ，Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｚｈｅｎｇｚｈｏｕ，４５０００１，Ｃｈｉｎａ）　

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｓｔａｒｔｉｎｇ　ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　ｉｎｔｅｒｎａｌ　ｃｅｌｌ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｉｎｔｅｒ—ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｐａｒａｍｅｔｒｉｃ　ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｓ，ｔｈｅ　

Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ　ｏｆ　Ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ　ａｎｄ　ｉｔｓ　ｃａｕｓｅ　ｏｆ　ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ａｒｅ　ａｎａｌｙｚｅｄ　ｉｎ　ｄｅｐｔｈ．Ｔｈｅ　ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｐｏｗｅｒ　ｌｏｓｓ　ａｎｄ　

ｄｒｉｖｉｎｇ　ｐｏｗｅｒ　ａｒｅ　ｓｔｕｄｉｅｄ　ａｓ　ｖｉｅｗｅｄ　ｆｒｏｍ　ｐｒａｃｔｉｃａｌ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ。Ｔｈｅ　ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄｓ　ｆｏｒ　ｒｅｌａｔｉｖｅ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ａｒｅ　ｐｒｏｐｏｓｅｄ　

ａｎｄ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｋｉｎｄｓ　ｏｆ　ｆａｃｔｏｒｓ　ｗｈｉｃｈ　ｍａｋｅ　ｉｍｐａｃｔｓ　ｏｎ　ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ　ａｒｅ　ｓｔｕｄｉｅｄ　ｂｙ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ．Ｔｈｅ　ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎｓ　ａｒｅ　ｓｉｇｎｉｆ—　

ｉｅａｎｔ　ｆｏｒ　ｐｒｏｐｅｒ　ｕｓａｇｅ　ｏｆ　ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ　ａｎｄ　ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　ｄｒｉｖｉｎｇ　ｃｉｒｃｕｉｔ．　

Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ；ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ；ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｐｒｏｐｅｒｔｙ；Ｍｉｌｌｅｒ　ｅｆｆｅｃｔ；ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｌｏｓｓ　

目前在实际应用中功率Ｍ０ＳＦＥＴ仍以硬开关工作方　

式为主，一方面随着开关频率的提高，开关器件的开关损　

１功率ＭＯＳＦＥＴ的开关现象　

耗越来越严重，另一方面功率Ｍ０ＳＦＥＴ在开关过程中电　

１．１　功率Ｍ０ＳＦＥＴ内部结构和极间电容的电压依赖　

压电流发生急剧变化，多种因素相互影响，彼此关联，如果　

关系　

使用不当将导致器件失效，甚至导致系统崩溃，引发严重　为提高器件的耐压和耐流能力，功率ＭＯＳＦＥＴ一般　

事故，因此，分析功率Ｍ０ＳＦＥＴ的开关特性，研究各种因　

都采用垂直导电结构，图１所示为ＶＤＭ０ＳＦＥＴ（Ｎ沟道）　

素对开关过程的影响，从而保证器件安全可靠地工作并尽　

的内部单元结构图。其中，栅源之间、漏源之间和栅漏极　

可能地减少开关损耗是十分重要的。　

之间均存在着极间电容，这些电容的大小及其变化成为影　

国内外许多相关文献对功率ＭＯＳＦＥＴ开关特性的研　

响功率Ｍ０ＳＦＥＴ开关过程的关键因素。由图中可以看　

究或者侧重于器件设计本身，或者是在特定的实验条件下　

出，栅源电容ＣＧ　主要由三部分组成，即：　

进行的，所得结论不适用于阻性负载的实际应用情况，《实　

ＣＧｓ—ＣＧｓ　＋ＣＧｓＰ＋ＣＧｓＭ　（１）　

际应用条件下Ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ开关特性研究（上）》（见本　

栅源电容主要由两部分组成，即：　

刊２００７年第２１期１７５—１７８页）已经详细地分析了一般应　

ＣＧ。一　（２）　

用条件下（阻性负载）功率ＭＯＳＦＥＴ的开关过程，本文进　

Ｌ￣ＧＤＯＸ＿ｔ＿￣ＧＤＢＵＬＫ　

一

步从功率ＭＯＳＦＥＴ内部结构分析了功率ＭＯＳＦＥＴ的　

漏源电容ＣＤ　为漏源耗尽层间电容。上述这些电容在　

开关现象，重新确立了阻性负载应用条件下开关损耗的近　

开关过程中将随着半导体结构状态的改变而发生显著的　

似计算公式，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了　

变化，而极间电容的变化反过来又将影响开关过程，其中　

实验研究。　

ＣＧ。受开关过程的影响和他本身的变化对开关过程的影响　

都最为显著。　

收稿日期：２００７—１０—１６　

当Ｖ璐很大时，空间电荷区较宽，因此　ＤＢＵＬ　很小，有　

基金项目：河南省科技攻关计划项目（Ｏ７２１Ｏ２２４ＯＯ３３）　

ＣＧ傩ｍ　《ＣＧＤＵｘ，故ＣＧ。　ＣＧＤＢＵ　，即栅漏电容主要由ｃ　ＵＬｘ　

１　４５　

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方

决定且保持一个较小的值。随着　

窄，　Ｄ叽　增大。当　减小至　

波等：实际应用条件下Ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ开关特性研究（下）　

载电阻Ｒ上产生压降而使Ｖ。　迅速下降。栅极充电等效电　

路如图４（ｂ）所示。Ｖ。　的迅速下降一方面使　。快速增大，　

ＪＴ，　

的减小，空间电荷区变　

一　（即　。一Ｏ）时，空　

间电荷区收缩至栅极氧化层与半导体边界，从而使得Ｃ（一　

另一方面，Ｋ一—ｔｌ　　Ｖ　Ｄｓ一一ｇ　・Ｒ　，根据密勒定理，将Ｃ。。折　

ｕ　ｙ　ＧＳ　

在ＣＧ。中占主导地位。随着　

一

进一步减小，空间电荷区进　

的依赖关系如图２所　

步收缩，ＣＧＤＵＸ从而ＣＧ。进一步迅速增大，直至最终Ｖ　接　

近于零时ｃＧ。趋于最大值。　。与　

算到输人端，其栅极输人等效电容值将增大为Ｃ　一Ｃ。　

＋（１一Ｋ）ＣＧ。。　

示。　

畚斌屡　

（３）ｔ　～ｔ。：ｔ　时刻Ｖ　下降至接近　

着ＶＤｓ减小至接近于通态压降　

（即　。　０），　

ＣＧ。开始急剧增大，漏极电流　已接近最大额定电流值。随　

・Ｒ　。　，ＣＧ。趋于最大值　

辅极　

图１　ＶＤＭＯＳＦＥＴ（Ｎ沟道）内部单元结构图　

Ｃ∞　

————————＼　

：＼、、　

Ｐ　，　ｎｓ　

图２　ＣＧＤ—ＶＤｓ曲线　

图１中极间电容ＣＧ。和ＣＧ　均是其各自极间电压的　

非线性函数，但其电容值与其极间电压的依存度以及电容　

值的变化对开关过程的影响远不如ＣＧ。。　

１．２　功率ＭＯＳＦＥＴ开关行为Ｅ４，ｓ３　

在功率ＭＯＳＦＥＴ的实际应用中，许多情况下其负载　

都是电阻性或近似阻性的，因此本文在阻性负载条件下研　

究功率ＭＯＳＦＥＴ开关行为。功率ＭＯＳＦＥＴ的开通过程　

大致可分为下述４个阶段，如图３所示。　

Ｌ　

——

｛，　Ｌ

＿‘。＿。●‘‘‘　。。。一　

一　

—　

毒　

十＿

———一　

＼　

｝　／Ｌ　

ＶＤＳ　

．

－　

．　

／｜　＼、、

～　

图３　功率ＭＯＳＦＥＴ开关行为　

（１）ｔｏ～ｔ　：ｔ。时刻给功率ＭＯＳＦＥＴ加上理想开通驱　

动信号，栅极电压从０上升到门限电压Ｖ。　蝴，ＭＯＳＦＥＴ上　

的电压电流都不变化，Ｃ。。很小且保持不变。ＭＯＳＦＥＴ栅　

极充电等效电路如图４（ａ）所示。　

（２）ｔ　～ｔ　：ＭＯＳＦＥＴ工作于恒流区，漏极电流Ｉ。等　

效于一个压控电流源，他随着Ｖ。　快速线性增大，Ｉ。在负　

】４６　

（　时刻）。在此过程中，一方面ＣＧ。本身很大，另一方面，Ｋ　

ＪＴ，　

一　

绝对值很大，由于密勒效应，等效输人电容Ｃｎ２。非常　

ＵＶ　ＧＳ　

大，从而引起栅极平台的出现，栅极电流几乎全部注人ＣＧＤ，　

使　下降，其栅极充电等效电路如图４（ｃ）所示。　

（４）ｔａ～ｔ　：　时刻后　下降至通态压降并基本不变，　

ＣＧ。亦保持最大值基本不变，但密勒效应消失，Ｃ　一Ｃ　＋　

ＣＧＤ，栅极电流同时对ｃＧ　和Ｇ’。充电，栅极平台消失，栅源　

电压不断上升直至接近驱动源的电源电压ＶＤＤ，上升的栅源　

电压使漏源电阻Ｒ　。　减小。ｔ　时刻以后ＭＯＳＦＥＴ进人完　

全导通状态。其栅极充电等效电路如图４（ｄ）所示。　

功率ＭＯＳＦＥＴ关断过程与开通过程恰好相反，如　

图３（ｔ　～ｔ。）所示。　

衄ｒ　０　

ｆｃ）　（ｄ）　

图４　Ｍ０ＳＦＥＴ开通过程栅极充电等效电路　

２功率ＭＯＳＦＥＴ开关损耗计算　

由图３可知，功率Ｍ（）ＳＦＥＴ硬开关过程中开关损耗　

大，开通时主要发生在ｔ　～ｔ　期间，关断时主要发生在　

ｔ　～ｔ。期间，且随着开关频率的提高而线性增长。为简便　

起见，将图３中漏源电压Ｖ　和漏极电流Ｉ。作分段线性化　

处理，如图５（ａ）、（ｂ）所示，并设Ｍ０ｓ管导通电流为　，　

关断漏源电压为ＶＤＤ，ｔ　和ｔ　时刻所对应的漏源电压均为　

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２００８年第５期总第２６８　

ＶＤｓ（ＴＰ】，转换周期为Ｔ，则由图５可得在ｔ　～ｔｚ，ｔｚ～ｔ。，ｔｅ～　

ｔ　和ｔ　～ｔ　区间的平均功耗为：　

：一　一　Ⅸ。　（２　ｃ　ｎ＋ＶＤＤ）　（３）　

Ｐ２。一　。　一　肌　ＶＤ　＂　（４）　

故在一个开关周期内的平均开通损耗为：　

一

［去，Ｄ（ｏｎ）（２ＶＤｓ（ＴＰ）＋　ＤＤ）Ａｔ１２＋　

，Ｄ（　ＶＤｓ（ＴＰ）Ａｔ：。］／Ｔ　（５）　

在一个开关周期内的平均关断损耗为：　

ＰｏＨ一［１ｉ

Ｄ（。　）

（２　ＤＳ（ＴＰ）＋　ＤＤ）△￡７　＋　

，Ｄ（。ｎ】　ＤＳ（ＴＰｊ　Ａｔ。７］／Ｔ　（６）　

故在一个周期内总的转换损耗为：　

Ｐ　一　。　＋　。“一［１ｉ

Ｄ（　

（２　ＴＰ）＋ＶＤＤ）（Ａ￡　：＋　

Ａｔ７８）＋１Ｉ

。（ｏｎ】　ｓ（ＴＰ）

（Ａｔ２。＋Ａｔ６７）］／Ｔ　（７）　

图５漏源电压ＶＤｓ和漏极电流ＩＤ分段线性化　

３　驱动功率　］　

从能量损耗的角度，一个开关周期内驱动器为驱动　

Ｍ０ＳＦＥＴ所消耗的能量包括两部分，即导通期间消耗的　

能量和关断期间消耗的能量。　

导通期间驱动器所提供的全部能量一部分通过　

ＭＯＳＦＥＴ的输入电容Ｃ；　存储起来，一部分通过电阻（Ｒ　

＋Ｒ。　＋Ｒ。　）被消耗掉，被消耗掉的这部分能量：　

ｒ　ｒ　

Ｅｍ　）一Ｉ

Ｊ　

　Ｇ（　一　ｓ）ｄｔ—Ｉ（

√　

　ｃ—Ｖｃｓ）ｄＱｃ（８）　

关断期间消耗的能量即导通期间输入电容ｃ　存储起　

来的那部分能量：　

ｒ　ｒ　

【０ｌｆ）一Ｉ

Ｊ　

　。　ｓｄｔ—Ｉ

Ｊ　

　ｓｄＯｏ　（９）　

故在一个开关周期内所消耗的总能量为：　

ｒ　ｒ　

Ｅ　一　）＋　（ｏｌｆ）一Ｉ

Ｊ　

（　一　ｓ）ｄＱｃ＋Ｉ

Ｊ　

Ｖ。ｓｄ　

ｒ　

—

Ｉ　ｃｄＱｃ—　ｃ　（１Ｏ）　

Ｊ　

故在一个开关周期内栅极回路所消耗的平均功率即　

驱动Ｍ０ＳＦＥＴ所需的平均功率为：　

Ｐ　一Ｅ　／Ｔ—Ｅ　ｆ＝　ｆ　（１１）　

应用栅极电荷曲线可以直观地反映出导通期间消耗　

的能量和关断期间消耗的能量，如图６所示。　

图６　开关过程中驱动能量消耗　

４开关特性实验　

４．１开关过程影响因素实验　

本文在设定主回路电压　一２８０　Ｖ，开关频率为　一　

８０　ｋＨｚ，阻性负载的实验条件下，采用ＩＲ２１１０作为驱动器　

对影响功率ＭＯＳＦＥＴ开关过程的多种因素进行了实验　

研究。　

图７（ａ），（ｂ）分别为开通和关断过程不同驱动源电压　

下的栅源电压　实验波形，功率ＭＯＳＦＥＴ为ＩＲＦ８４０，实　

验结果表明：驱动电源　蔗的大小对开关过程的影响明显，　

随着　ｃｃ增大，开通速度加快，但关断延迟时间变长，因此，　

Ｖ　大小应适当。　

（丑）开通过程不同‰下　波形　

（ｂ】关断过程不同　Ｆ　披形　

图７　开通及关断实验波形　

图８为开通过程不同栅极电阻下的栅源电压　Ｇｓ实验　

波形，实验结果表明：栅极电阻的大小对开关过程的影响　

很大，随着Ｒ。减小，开关速度加快，但当Ｒ。过小时，栅极　

回路将发生振荡，对开关过程的安全可靠性不利。　

图９为开通过程不同漏极电流下的栅源电压　实验　

波形，实验结果表明：漏极电流的大小对开关过程的影响　

主要表现为对平台期栅极电压的影响，随着ｆ。增大，平台　

期栅极电压　。　将增大（－－者之间的关系由ＭＯＳＦＥＴ　

１　４７　

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方波等：实际应用条件下Ｐｏｗｅｒ　ＭＯＳＦＥＴ开关特性研究（下）　

器件手册的输出特性曲线给出），因此，主回路负载的大小　措施调整开通时间和关断时间的比例以使总开关损耗适　

对开关速度没有显著的影响。　

当减小。　

图８开通过程不同ＲＧ下的ＶＧｓ实验波形　

图１１　ＭＯＳＦＥＴ功率损耗实验波形　

４．３　驱动功率实验测算　‘　

在本文图１１的实验条件下，栅极电荷量　可通过实　

ｒｆ．　

验和近似估算得到，　—Ｉ　ｉｃｄｔ　５０　ｎＣ，故驱动ＩＲＦ８４０　

Ｊ　

型ＭＯＳＦＥＴ所需的平均功率由式（１１）计算约为６Ｏ　ｍｗ。　

因此，在实际应用时驱动器所提供的驱动功率不是考虑的　

主要问题。　

图９开通过程不同』Ｄ下的　Ｇｓ买验波形　

５　结　语　

图１Ｏ为开通过程不同ＭＯＳＦＥＴ器件的栅源电压Ｖ。　

波形，实验结果表明：不同功率ＭＯＳＦＥＴ其开关特性不　

本文从功率ＭＯＳＦＥＴ实际应用的角度出发，分析了　

同，这是由于不同的器件其结构参数不同，因而　，　。和　

功率ＭＯＳＦＥＴ的开关现象，对功率ＭＯＳＦＥＴ开关过程的　

Ｃｎ　等电气参数不同，故开关特性不同。因此在功率ＭＯＳ—　

功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的　

ＦＥＴ应用时，应根据具体的器件型号来设计驱动电路。　

计算方法，并对多种因素对开关特性的影响进行了实验研　

究。通过理论分析和实验研究，可得出如下结论：　

（１）阻性负载条件下功率ＭＯＳＦＥＴ的开通和关断过　

程均可分为四个阶段，其中第二阶段和第三阶段至关重　

要，器件的开关速度和开关损耗均主要取决于这两个　

阶段。　

（２）功率ＭＯＳＦＥＴ所特有的开关现象（输入等效电　

容急剧增大而出现平台现象）是由　

图１Ｏ　开通过程不同ＭＯＳＦＥＴ器件的　ＧＤ波形　

开通和关断过程的第二阶段和第三阶段　。的变化　

和密勒效应的双重原因共同引起的。　

４．２功率ＭＯＳＦＥＴ开关过程的功率损耗实验　

（３）栅极电阻对开关速度和开关损耗有显著影响，而　

开通过程ＭＯＳＦＥＴ功率损耗实验波形如图１１所示。　

驱动源电压对开通过程和关断过程持续时间和损耗的分　

根据实验曲线按式（３）～式（７）作近似估算，Ｐ　一Ｐ　

配有显著影响，可通过降低驱动源电压使总开关损耗减　

８５．３　ｗ，Ｐ　。一Ｐ　１６．０　Ｗ，Ｐ。　０．８７　Ｗ，Ｐ。Ｈ　

小。但驱动源电压的大小同时影响ＭＯＳＦＥＴ的导通电　

２．６１　ｗ，　△３．４８　ｗ。实验结果表明：在开通过程的ｔ　～　

阻，从而影响通态损耗，因此驱动源电压的选取应适当。　

ｔ。阶段和关断过程的ｔ　～　阶段ＭＯＳＦＥＴ功率损耗很大，　

（４）功率ＭＯＳＦＥＴ器件数据手册所给出的开关过程　

其损耗均为平台阶段（ｔ　～ｔ。，ｔ　～ｔ　）的５倍以上，但其对　有关参数如Ｇ　Ｃｒ　栅极电荷Ｑ以及Ｔ，，Ｔ　等都是　

一

个开关周期Ｔ内平均损耗的贡献还取决于该阶段持续　

在特定的测试电路（如恒流负载、恒流驱动源）和测试条件　

时间。在本文的实验条件下，ｔ　～ｔ　，ｔ　～ｔ。，ｔ　～ｔ　，ｔ　～ｔ　

下取得的，其数值对于功率ＭＯＳＦＥＴ的实际应用的帮助　

各阶段对总平均损耗Ｐ　的贡献率分别为：１７．６　，７．３　，　

是有限的，开关过程有关具体参数应根据具体应用场合和　

１６．１　和５８．８％，可见，缩短ｔ　～ｔ　阶段和ｔ　～ｔ　阶段的　

具体条件进行计算或实验得到。　

持续时间对于降低开关损耗具有重要意义。实验结果还表　

上述结论对于功率ＭＯＳＦＥＴ的正确运用和设计合理　

明：开通损耗和关断损耗一般是不相等的，在本文的实验　

的ＭＯＳＦＥＴ驱动电路具有指导意义。　

条件下，关断损耗占总平均损耗Ｐ　的约３／４，可通过优化　

（下转第１５１页）　

１　４８　

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《现代电子技术）２００８年第５期总第２６８期　电子技术应　

图２（ｄ）为仅对分解后低频分量进行重构，重构信号的　

参考文献　

能量成分ｐｅｒ一０．６２０　１，与原信号的标准差ｅｒｒ一　

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２０．０１３　１，噪声几乎被过滤，重构误差接近零，信噪比为　

ＥＭ］．北京：电子工业出版社，２００５．　

ＳＮＲ一２２．８１５　６　ｄＢ，信噪比提高了约１７　ｄＢ；图２（ｅ）对分　

Ｅ２－１周伟．Ｍａｔｌａｂ小波分析高级技术ＥＭ］．西安：西安电子科技　

解后高频分量进行重构，重构信号的能量成分ｐｅｒ一　

大学出版社，２００６．　

０．１９１　４；图２（ｆ）仅对低频分量重构信号的傅里叶变换和　

Ｅ３］葛哲学．Ｍａｔｌａｂ时频分析技术及其应用ＥＭ］．北京：人民邮　

双谱估计，能量为４８．９８８　５。　

电出版社，２００６．　

Ｅ４３飞思科技产品研发中心．Ｍａｔｌａｂ　７辅助信号处理技术与应　

５结　语　

用ＥＭ］．北京：电子工业出版社，２００５．　

Ｅ５３邱天爽．统计信号处理一非高斯信号处理及其应用ＥＭ］．北　

介绍基于小波包和双谱对加性高斯噪声信号进行处　

京；电子工业出版社，２００４．　

理与分析的方法，小波包分析属于线性时频分析法，能有　

Ｅ６３李一兵．双谱估计在导头信号检测与处理中的应用ＥＪ］．信　

效地提取有用信息且信噪比大大提高；双谱不但可以抑制　

息技术，２００３，２７（９）：１　００９—２　５５２．　

高斯噪声，而且能得到信号幅度、相位、能量、非线性等丰　

Ｅ７］李萌．小波减噪与双谱分析在轴承故障诊断中的应用［Ｊ］．　

富的信息。通过仿真表明把两种分析方法结合起来，能够　

长春大学学报，２００５，１５（２）：１　００９—３　９０７．　

多方面地提取信号的特征信息，具有一定的实际应用　

Ｅ８－１刘毅．基于高阶累计量的参数化双谱分析的肺音特征提取　

价值。　

ＥＪ］．山东大学学报：工学版，２００５，３５（２）：１　６７２—３　９６１．　

作者简介　孙万麟　女，１９８２年出生，甘肃靖远人，新疆大学信息学院电子系研究生。主要研究方向为信号处理。　

．．．．．，　－¨　．．．．．　．．．．．＾．．　’、　、　．．．．，、．　．．．．，‘～．．　、　、．，、，’～、，、，、、　、　’～．．，．．．．，、，‘～．．　、．　、．　、、，、．，．．．．，、，、　‘～．．＾．　、、，、．，、．，、、，、，、，、　・、一．・　，、、，、，、．，、、　、、　、，、．＾．．，－＿．．，、．＾　、　

（上接第１４８页）　

Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．，１９８９：３６（７）：１　３８１—１　３８６．　

参考文献　

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［１］王兆安，张明勋．电力电子设备设计和应用手册ＥＭ］．２版．　

ｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｎｏｔｅ，ＡＮ０００２，ＩＸＹＳ　Ｃｏｒｐａｒａｔｉｏｎ　

北京：机械工业出版社，２００２．　

ＥＥＢ／ＯＬ］．　

Ｅ２－１　Ｐｏｗｅｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ＥＥＢ／ＯＬ］．Ｐｈｉｌｉｐｓ　Ｓｅｍｉ—　

Ｅ５－１侯铁年，马怀俭．功率一ＭＯＳＦＥＴ开关特性与参数的测试电　

ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ．　

路及方法ＥＪ］．电测与仪表，２００２，３９（４）：２７—３０．　

Ｅ３－１　Ｓａｋｉ　Ｔ，Ｍｕｒａｋａｍｉ　Ｎ．Ａ　Ｎｅｗ　ＶＤＭＯＳＦＥＴ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｗｉｔｈ　

Ｅ６］沈耀忠，任志纯．ＴＭ０ｓ功率场效应晶体管原理及应用　

Ｒｅｄｕｃｅｄ　Ｒｅｖｅｒｓｅ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ［Ｊ］．ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．　

ＥＭ］．北京：电子工业出版社，１９９５．　

作者简介　方　波　男，１９７３年出生，讲师，工学硕士，中国高校电子教育学会会员。研究方向为高频开关电源技术。　

张元敏　男，１９６３年出生，副教授，许昌学院电气信息工程学院院长，中国高等学校电子教育学会常务理事。研究方　

向为电子技术与电源技术应用。　

ＭＣＵ：高端产品堪长快汔车节簇是热点　

ＭＣＵ产品的应用的领域十分广阔，从通信基础设　非常适合于传统的电机设计应用和便携式应用；１６位、　

施、手机、大型家电、消费电子、汽车电子到工业控制等　

３２位的中高端产品则主要面向控制、通信及网络等应　

领域，到处都能看到ＭＣＵ的身影。受整体半导体产业　

用，而一些新兴的应用领域，如创新的显示和投影设　

的影响，２００７年ＭＣＵ市场表现欠佳，但中国ＭＣＵ市场　

备、低成本ＧＰＳ以及高度优化的电机控制等，需要只有　

继续保持了较高的增长速度，据赛迪顾问统计，２００７年　

３２位ＭＣＵ才能提供的高处理能力和高数据吞吐量。　

中国ＭＣＵ市场同比增长接近２Ｏ　，市场规模超过２５亿　随着技术的不断创新，８位ＭＣＵ的新产品在低功耗、　

美元，而且未来几年仍将持续保持快速增长的态势。　

额外性能以及更小尺寸等方面不断突破，帮助其不断　

在ＭＣＵ产品领域一直存在着“数位之争”的说法，　

开拓新的应用，更多的新兴领域呼之欲出，比如智能消　

即８位、１６位和３２位ＭＣＵ产品哪个更受市场青睐。　

费类产品、健康医疗保健产品、安全监护系统、能源控　

事实上，这三种产品市场虽然有交叉重叠，但也具有各　

制系统以及汽车电子应用等，由此带出新的发展空间。　

自的发展空间。低端的８位ＭＣＵ价格低廉，体积小，　

（摘自《中国电子报》）　

１５１