2024年5月8日发(作者：荣耀play5t怎么样)
各代内存存在什么区别
各代内存之间的区别参考如下：
内存在从DDR到DDR2再到DDR3升级发展过程中，其工作电压一直在降低，因
此在性能提升的同时，功耗也在逐渐变小。
至于说到主板上的插槽，三者都不一样，在内存接口上有一个小缺口，DDR DDR2
DDR3内存的每种内存的接口都不会同一位置，因此只能插在购买时得先看好主板上插槽
支持那种内存再进行购买内存。而且这三种内存条是不能兼容。
内存各代数之间的区别
DR DDR2 DDR3在内存容量上的区别
现在家用电脑谁不是2G的?8G以上的都不少见吧?一些游戏玩家最低要求都是4G
吧?如果这事放在零几年那时谁信?
DDR最小的内存只有64M最大的也只有1G的容量，2代的DDR 最少的是256M
最大的都已经是4M了.当然DDR2 4G用的人少一般常见的都是1Gx2这样使用的。而
DDR3现在最小的都是512M最大的都已经是8G了。一般都是4Gx2这样使用。或者
2Gx2这样使用。
DDR DDR2 DDR3在封装区别
早期的DDR封闭颗粒是TSOP，而从DDR2和DDR3开始使用FBGA封装，而
DDR2使用的是8bit芯片使用60球/68球/84球FBGA封装三种规格，而DDR3采用的
是16bit芯片使用96球FBGA封装，而且DDR3必须是绿色封装，不能包含任何有害的
物质。
参考电压分成两个
在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信
号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提
高系统数据总线的信噪等级。
DDR DDR2 DDR3在突发长度BurstLength，BL
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期BurstLength，BL也固定为8，平而
DDR的传输周期是2，而DDR2是4。
DDR DDR2 DDR3在逻辑Bank数量上的区别
DDR中有2个Bank和4个Bank。DDR2有4个Bank和8个Bank。而到DDR3
的时候已经是8个Bank和16个Bank了。目前就是应对未来大容量芯片的要求，而
DDR3很可能将从2G起步，因此逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16逻辑Bank
做好了准备。
DDR DDR2 DDR3的寻址时序区别Timing
延迟周期数从DDR一代到二代再到三代内存一加一直在增加，三代内存的CL周期
也将比二代内存有相应的提高。二代内存的CL范围一般在2到5之间，而二代内存已经
增加到5到11之间，并且三代内存延迟AL的设计也有所变化。二代内存时AL的范围
是0到4，而三代内存时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，三代内存还
新增加了一个时序参数-写入延迟。
相对于DDR DDR2，DDR3新增的功能
DDR新增加重置功能， 新增加的重置是DDR3一项重要功能，并且为此功能还专门
准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，
DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
DDR3新增ZQ校准功能，ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆
的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎On-
DieCalibrationEngine，ODCE来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻
值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期在加电与初始化之后用512个时钟周
期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期对导通电阻
和ODT电阻进行重新校准。
感谢您的阅读，祝您生活愉快。
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