2024年5月3日发(作者：expertise)

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(21)申请号 CN2.2

(22)申请日 2013.04.28

(71)申请人 四川天邑康和通信股份有限公司

地址 611300 四川省成都市大邑县晋原镇工业大道198号

(72)发明人 李俊画 马剑

(74)专利代理机构 成都蓉信三星专利事务所

代理人 涂凤霞

(51)

(10)申请公布号 CN 103235364 A

(43)申请公布日 2013.08.07

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

平面光波导分路器芯片切割工艺

(57)摘要

本发明公开了一种平面光波导分路

器芯片切割工艺，涉及一种芯片切割工

艺，其步骤包括下料、晶圆和盖板切割、

BAR切割、研磨和CHIP切割，下料后将

晶圆顶面与盖板粘结，底面粘在UV膜

上，然后进行晶圆、盖板和UV膜的整体

切割，切割完成后顺序进行BAR切割、研

磨和CHIP切割。本发明步骤简单，解决

了芯片切割工艺对产品造成产品崩口、切

割线切斜问题，从而提高了产品良率和产

能，具有很好的实用性。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

权 利 要 求 说 明 书

1.一种平面光波导分路器芯片切割工艺，其步骤包括下料、晶圆和盖板切割、BAR

切割、研磨和CHIP切割，其特征在于：下料后将晶圆顶面与盖板粘结，底面粘在

UV膜上，然后进行晶圆、盖板和UV膜的整体切割，切割完成后顺序进行BAR

切割、研磨和CHIP切割。

2.根据权利要求1所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于：将晶圆与

盖板和UV膜粘结的具体步骤为：将晶圆按波导方向向上平放，把胶水均匀的点涂

在晶圆顶面上，再把晶圆盖板轻放在上面，把压块放置在盖板上面，使晶圆顶面与

盖板粘接好，再把晶圆底面置于UV膜上，进行UV照射和烘烤，使晶圆底面与

UV膜粘结好。

3.根据权利要求2所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于：UV照射

完成后进行80℃烘烤2小时，60℃烘烤1小时。

4.根据权利要求3所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于：在晶圆与

盖板和UV膜粘结之前先将晶圆和切割工具清洗洁净。

5.根据权利要求4所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于：晶圆、盖

板和UV膜的整体切割完成后放到UV箱里UV90-120秒，取出后可以直接进行

BAR切割。

6.根据权利要求5所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于：晶圆、盖

板和UV膜的整体切割和BAR切割采用日本DISCO3350切割机。

7.根据权利要求6所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于：切好的

BAR进行研磨，研磨机采用自动修面机，研磨分粗磨、细磨和抛光，研磨后进行

角度测试，然后进行CHIP切割。

8.根据权利要求7所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于：CHIP切

割采用以色列ADT7100切割机，切完的产品在金像显微镜下检查外观，外观合格

产品进行光功能测试，对光功能检测合格的产品进行最终的外观检验。

说 明 书

技术领域

本发明涉及一种芯片切割工艺，尤其涉及一种平面光波导分路器芯片切割工艺。

背景技术

随着网络技术的发展，网络的应用也不断升级，从而对对布线系统的带宽不断提出

更高的要求。系统供应商和最终用户在规划和设计网络布线系统时越来越多的使用

光纤布线产品。光纤布线产品已经不再局限应用于主干布线系统，还逐渐进入光纤

到户（FTTH）、光纤到桌面（FTTD）等应用领域。在国内光纤接入已成为光通信

领域中的热点，光分配网ODN是光接入网的关键部分，是由光分路器、光纤光缆

和光配线产品等组成，其中光分路器是ODN中的核心器件，光分路器中关键部份

就是来自平面光波导分路器芯片，而芯片的控制点是芯片的切割。

现有技术芯片制作工艺复杂，在晶圆切割前需要上下片辅助完成，因此切割前，需

要把晶圆上在玻璃片上，起到载片作用，晶圆、盖板切割需要更换相应的刀片进行

切割，切割完成后还需要将上、下片从玻璃片上取下，非常繁琐，并且技术门槛较

高，在实际操作中易报废，难以控制产品崩口、切割线切斜问题，对平面光波导分

路器的制作造成产能及合格率低。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种平面光波导分路器芯片切割工艺，

步骤简单，解决了芯片切割工艺对产品造成产品崩口、切割线切斜问题，从而提高

了产品良率和产能，具有很好的实用性。

本发明的技术方案是：一种平面光波导分路器芯片切割工艺，其步骤包括下料、晶

圆和盖板切割、BAR切割、研磨和CHIP切割，下料后将晶圆顶面与盖板粘结，底

面粘在UV膜上，然后进行晶圆、盖板和UV膜的整体切割，切割完成后顺序进行

BAR切割、研磨和CHIP切割。

将晶圆与盖板和UV膜粘结的具体步骤为：将晶圆按波导方向向上平放，把胶水均

匀的点涂在晶圆顶面上，再把晶圆盖板轻放在上面，把压块放置在盖板上面，使晶

圆顶面与盖板粘接好，再把晶圆底面置于UV膜上，进行UV照射和烘烤，使晶圆

底面与UV膜粘结好。

进一步的，UV照射完成后进行80℃烘烤2小时，60℃烘烤1小时。

进一步的，在晶圆与盖板和UV膜粘结之前先将晶圆和切割工具清洗洁净。

进一步的，晶圆、盖板和UV膜的整体切割完成后放到UV箱里UV90-120秒，取

出后可以直接进行BAR切割。

进一步的，晶圆、盖板和UV膜的整体切割和BAR切割采用日本DISCO3350切割

机。

进一步的，切好的BAR进行研磨，研磨机采用自动修面机，研磨分粗磨、细磨和

抛光，研磨后进行角度测试，然后进行CHIP切割。

进一步的，CHIP切割采用以色列ADT7100切割机，切完的产品在金像显微镜下检

查外观，外观合格产品进行光功能测试，对光功能检测合格的产品进行最终的外观

检验。

本发明的有益效果是：本发明切割晶圆和盖板时不用上在玻璃片上，直接粘在UV

膜上进行切割，切完后也不存在下晶圆，切完晶圆和盖板后可以直接进行BAR切

割不用粘片，步骤简单，技术门槛低，提高了工作效率，降低了废品率。加工出的

产品体积小、重量轻、集成度高，机械性能以及环境稳定性好。耦合分光比容易精

确控制，损耗对传输光波长不敏感，可以满足不同波长的传输需要。本切割工艺采

用不同切割机的搭配结合从而控制产品切割崩口、切斜的问题此技术，有利于提高

平面光波导分路器芯片切割工艺的制作。解决了芯片切割工艺对产品造成产品崩口、

切割线切斜问题，从而提高了产品良率和产能，具有很好的实用性。

附图说明

图1是本发明的工艺流程图。

具体实施方式

作为本发明的一种实施方式，如图1所示，一种平面光波导分路器芯片切割工艺，

其步骤包括下料、晶圆和盖板切割、BAR切割、研磨和CHIP切割，下料后将晶圆

和切割工具清洗洁净，将晶圆顶面与盖板粘结，底面粘在UV膜上，然后进行晶圆、

盖板和UV膜的整体切割，切割完成后顺序进行BAR切割、研磨和CHIP切割。

所述下料是指将晶棒切割成为片状晶圆，BAR切割是切除边角。CHIP切割是研磨

后根据需要切割成单粒的芯片。

本实施例中，将晶圆与盖板和UV膜粘结的具体步骤为：将清洗好的晶圆按波导方

向向上平放，把胶水均匀的点涂在晶圆顶面上（6寸/1g），作为优选，所述胶水采

用日本大金。将胶水中的气泡用牙签棒挑出，再把晶圆盖板轻放在上面，把压块放

置在盖板上面，使晶圆顶面与盖板粘接好，再把晶圆底面置于UV膜上，进行UV

照射，在UV照射完成后进行80℃烘烤2小时，60℃烘烤1小时，使晶圆底面与

UV膜粘结好。作为优选，所述UV膜采用进口UV膜，本实施例中是采用琳得科

的Adwill D-210 UV膜，可以减少刀片炸刀频率、控制产品崩口。

本实施例中，晶圆、盖板和UV膜的整体切割完成后放到UV箱里UV90-120秒，

取出后可以直接进行BAR切割。切好的BAR进行研磨，达到8度面的控制，研磨

机采用自动修面机，研磨分粗磨、细磨和抛光，研磨后进行角度测试，然后进行

CHIP切割。

本实施例中，晶圆、盖板和UV膜的整体切割和BAR切割采用日本DISCO3350切

割机。CHIP切割采用以色列ADT7100切割机，CHIP切割需要不断磨刀，

ADT7100切割机自带自动磨刀台，切割数多，采用此方式切割可以减少产品崩口。

切斜问题，提高生产效率。切完的产品在金像显微镜下检查外观，外观合格产品进

行光功能测试，具体为四波长（1310、1550、1270、1625）测试系统测试。对光功

能检测合格的产品进行最终的外观检验。要求PLC正面（8度面边上）：大于500

微米允许。PLC其它区域：大于800微米不允许。

以上对本发明所提供的一种平面光波导分路器芯片切割工艺进行了详尽介绍，本文

中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是

用于帮助理解本发明的工艺及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依

据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说

明书内容不应理解为对本发明的限制。对本发明的变更和改进将是可能的，而不会

超出附加权利要求可规定的构思和范围。