2024年4月27日发(作者：天语i13手机参数)

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN2.1

（22）申请日 2014.10.24

（71）申请人 夏普株式会社

地址 日本大阪府大阪市

（10）申请公布号

CN105684159B

（43）申请公布日 2018.10.16

书

（72）发明人 木本贤治;小出直城;邹柳民;小林正道

（74）专利代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人 权太白

（51）

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

光电转换装置

（57）摘要

提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导

体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻

变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电

转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导

体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电

极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括

第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、

28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主

要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属

更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、

26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)

相比更配置于硅基板(12)的附近。

法律状态

法律状态公告日

2016-06-15

2016-06-15

2016-07-13

2016-07-13

2018-10-16

法律状态信息

公开

公开

实质审查的生效

实质审查的生效

授权

法律状态

公开

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实质审查的生效

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权利要求说明书

光电转换装置的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

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