2024年4月22日发(作者：5g网络覆盖地区)

昂科发布软件更新支持Macronix旺宏电子的FLASH存储器

MX25U12873FZN的烧录

芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列

表，其中昂科发布软件更新支持Macronix旺宏电子的FLASH存储器MX25U12873FZN的烧

录已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持。

MX25U12873F是128Mb位的串行NOR闪存，其内部配置为16,777,216 x 8。当它 时，

结构变为67,108,864位×2或33,554,432位×4。MX25L51245GMXSMIO(串行多I/O)在整个

芯片上提供顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，将自动编程/擦除算法，以编程/擦除并

验证指定的页面或扇区/块位置将被执行。程序命令以字节或页为单位执行(256字节)或擦除

命令的字基础是在4K字节的扇区，32K字节的块或64K字节的块上执行的，或整个筹码基

础。

MX25U12873F具有一个串行外设接口和软件协议，允许在一个简单的3线总线上操作，

同时它处于单I/O模式。总线上进行操作，而它处于单I/O模式。三个总线信号是一个时钟

输入（SCLK）、一个串行数据输入（SI）和一个串行数据输出（SO），对该器件的串行访

问由CS#输入启用。

当它处于两个I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚成为SIO0引脚和SIO1引脚，用于地

址/虚拟位输入和数据输出。当它处于四个I/O读模式时，SI引脚和SO引脚成为SIO0和SIO1

引脚，并且 SIO2引脚和SIO3引脚也被启用，用于地址/虚拟位输入和数据输出。

MX25U12873F（串行多I/O (串行多输入/输出）在整个芯片上提供连续的读操作。

在发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法将被执行，该算法对指定的页或扇区/块

位置进行编程/擦除和验证。程序命令是以字节为单位，或以页（256字节）为单位，或以

字为单位执行的字节）为基础，或以页（256字节）为基础，或以字为基础执行。擦除命令

在4K字节的扇区、32K字节的块、64K字节的块或整个芯片上执行。

为了给用户提供方便的接口，还包括一个状态寄存器来显示芯片的状态，状态读取命令

可以通过WIP位来检测编程或擦除操作的完成状态。

MX25U12873F采用了旺宏专有的存储单元，即使在经过100,000次编程和擦除循环后，

仍能可靠地存储存储器内容。

特征

一般情况

• 支持串行外设接口-模式0和模式3

• 134,217,728 x 1位结构或67,108,864 x 2位（两个I/O模式）结构或33,554,432 x 4

位（四种I/O模式）结构

• 每个4K字节的等区，或每个32K字节的等块每个32K字节的平等区块或每个64K字

节的平等区块块

• 任何区块都可以被单独擦除

• 单电源操作

– 1.65至2.0伏的电压，用于读取、擦除和编程操作

• 从-1V到Vcc+1V，锁存保护到100mA

• 在1.0V到1.4V的范围内有低Vcc写入抑制功能

• 永久固定的QE位（Quad Enable位），QE=1，4个I/O模式被启用

性能

• 高性能

– SPI模式的快速读取

– 1个I/O，104MHz，8个虚拟周期

– 2个I/O，84MHz，带4个哑铃周期，相当于168MHz

– 4个I/O，104MHz，带2+4个假循环，相当于416MHz

– QPI模式的快速读取

– 4个I/O，84MHz，带2+2个哑铃周期，相当于336MHz

– 4个I/O，104MHz，带2+4个虚拟周期，相当于416MHz

– 快速编程时间。

– 0.5ms(典型值)和3ms(最大)/页(每页256字节)

– 字节编程时间：12us（典型）