2024年3月6日发(作者：三星盖世zflip3)
特点：
耗散功率 PCM : 0.625 W（环境温度25℃条件下）
集电极电流 ICM : 0.5 A
集电极-基极电压 V(BR)CBO : 40 V
电子特性（在环境温度25℃条件下进行测试）：
参数 符号 测试条件 最小值
集电极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极反向饱和电流
集电极穿透电流
发射极反向饱和电流
直流电流放大倍数 HFE（1） VCE= 1 V, IC=
50mA
HFE（2） VCE= 1 V, IC=
500mA
集电极-发射极饱和电压
VCE(sat) IC= 500mA, IB= 50
mA
0.6 V
50
85 300
ICEO
IEBO
VCE= 20 V , IB=0
VEB= 3 V， IC=0
0.2
0.1
uA
uA
ICBO VCB= 40 V , IE=0 0.1 uA
V(BR)EBO IE= 100μA， IC=0 5 V
V(BR)CEO Ic= 0.1 mA， IB=0 25 V
V(BR)CBO Ic= 100μA , IE=0 40
典型值
最大值
V
单位
基极-发射极饱和电压
基极-发射极电压
特征频率
VBE(sat) IC= 500mA, IB= 50
mA
1.2 V
VBE
fT
IE= 100mA
VCE= 6 V, IC=
20mA
f = 30MHz
150
1.4
V
MHz
直流电流放大倍数按三极管后缀号的分类：
等级
放大范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
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